אינטל ומיקרון חשפו כרטיס זיכרון 10 טרה-בייט בטכנולוגיית 3D מהפכנית

אינטל ומיקרון חשפו כרטיס זיכרון של 10 טרה-בייט בטכנולוגיית תלת-מימד מהפכנית
מאת: מערכת Telecom News 26.3.15, 20:17
 
טכנולוגיית NAND 3D מאפשרת לייצר כרטיסי SSD בגודל של מסטיק עם יותר מ-3.5 טרה-בייט של נפח אחסון, וכרטיסי SSD של 2.5 אינץ' עם נפח גדול מ-10 טרה-בייט. השיפורים הדרמטיים בהתקני האחסון יניעו את השוק לשימוש רחב ביותר בזכרונות פלאש.
 
אינטל ומיקרון (Micron Technology) חשפו היום טכנולוגיה מהפכנית בתחום זיכרונות הפלאש. טכנולוגיית ה-NAND התלת-מימדית החדשה מאפשרת פיתוח של הזיכרון הדחוס בעולם וייצור כרטיסי SSD סטנדרטיים עם נפח הגדול מ-10 טרה-בייט.
 
ה-NAND 3D עורמת שכבות של תאי אחסון באופן אנכי לייצר התקני אחסון עם קיבולת הגדולה פי 3 מאשר טכנולוגיות NAND מתחרות. הטכנולוגיה החדשה מאפשרת לדחוס יותר תאי אחסון בשטח קטן ומספקת חיסכון משמעותי בעלויות ובצריכת החשמל וביצועים גבוהים, כדי להניע את השוק לשימוש רחב יותר בזיכרונות פלאש.
 
NAND 3D עורמת אנכית תאי פלאש ב-32 שכבות כדי להשיג תא רב שכבתי (MLC) של 256 ג'יגה-בייט ותבנית תא תלת-שכבתי (TLC) של 384 ג'יגה, שיתאימו למארז סטנדרטי. קיבולות אלו מאפשרות לייצר כרטיסי SSD בגודל של מסטיק לערך, ונפח אחסון של יותר מ-3.5 טרה-בייט וכרטיסי SSD סטנדרטיים של 2.5 אינץ' עם קיבולת של יותר מ-10 טרה-בייט.
 
הטכנולוגיה הקודמת - זיכרון הפלאש NAND המישורי - מתקרבת למגבלת ההתרחבות המעשית והדבר מציב אתגרים משמעותיים בפני תעשיית הזיכרונות. טכנולוגיית NAND 3D היא בבחינת אבן דרך משמעותית בהתפתחות שוק זה ומאפשרת פתרונות אחסון המתפתחים עפ"י חוק מור, במסלול מתמיד של שיפור הביצועים והפחתת העלויות.
 
אחד ההיבטים המשמעותיים ביותר של הטכנולוגיה החדשה טמון בתא הזיכרון הבסיסי עצמו: אינטל ומיקרון בחרו להשתמש בתא שער צף - תקן אוניברסלי שעבר ליטושים במשך שנים של ייצור כמויות גדולות של זיכרונות מישוריים. זהו השימוש הראשון בתא שער צף ב-NAND 3D.
 
מאחר שהקיבולת מושגת ע"י הערמת התאים באופן אנכי, מידותיו של התא הבודד יכולות להיות גדולות יותר באופן ניכר. סידור זה צפוי לשפר הן את הביצועים והן את הסיבולת ולהפוך אפילו את תכני ה-TLC למתאימים לאחסון מרכז נתונים.
 
המאפיינים העיקריים של NAND 3D:

קיבולת גדולה: פי 3 מטכנולוגיית 3D קיימת – עד 48 ג'יגה-בייט של NAND לתבנית המאפשרת להתקן אחסון בנפח 0.75 טרה-בייט להיכנס למארז שגודלו כקצה האצבע.
עלות מופחתת לג'יגה-בייט: הדור הראשון של NAND 3D נבנה כך שיפעל באופן חסכוני יותר מאשר NAND מישורי.
מהירות: רוחב פס גדול לביצועי קריאה/כתיבה משופרים, מהירות קלט/פלט וקריאה אקראית.
ידידותי לסביבה: מצב "שינה" חדש מאפשר פעולה בצריכת חשמל נמוכה ע"י צמצום כמות החשמל הנדרשת לתבנית לא פעילה.
חכם: מאפיינים חדשים משפרים את מהירות האחזור, מגדילים את הסיבולת בהשוואה לדורות קודמים ואף מקלים על אינטגרציה של המערכת.
 
גרסת ה-256 ג'יגה-בייט MLC של NAND 3D נמצאת כעת בבדיקה אצל שותפים נבחרים ודגם ה-384 ג'יגה-בייט TLC ייבחן בשלב מאוחר יותר. קו הייצור כבר החל בהרצות ראשוניות ויגיע להיקף ייצור מלא עד לרבעון הרביעי של השנה. 2 החברות מפתחות גם קווים של פתרונות SSD המבוססים על טכנולוגיית NAND 3D ומצפים להשיק את המוצרים בשנה הבאה.
 
בריאן שירלי, סגן נשיא לטכנולוגיות ופתרונות זיכרון במיקרון: "שיתוף הפעולה בין מיקרון לאינטל יצר את טכנולוגיית האחסון המובילה בתעשיה. NAND 3D מציעה צפיפות גבוהה, ביצועים ויעילות ללא מתחרים בשום טכנולוגיית פלאש אחרת כיום ועתידה לחולל שינוי יסודי בשוק. עוצמת ההשפעה, שנודעה עד היום לזיכרונות הפלאש, החל מסמארטפונים וכלה בסופר-מחשוב שביצועיו משתפרים הודות לפלאש, הם שיפורים שרק מתחילים למצות את הפוטנציאל הממשי".
 
רוב קרוק, סגן נשיא בכיר ומנהל כללי של קבוצת פתרונות הזיכרון הבלתי נדיף באינטל:  "מאמצי הפיתוח של אינטל ומיקרון משקפים את המחויבות המתמשכת שלנו לספק לשוק טכנולוגיות זיכרון בלתי-נדיף מובילות וחדשניות. השיפורים המשמעותיים בצפיפות ובעלות, שמאפשרת טכנולוגיית ה-NAND 3D החדשה, יאיצו את האחסון בטכנולוגיית SSD בפלטפורמות מחשוב מגוונות".